Реферат: Устойчивость плазмы в магнитных ловушках

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
НЕВОЗМУЩЕННОЕ СОСТОЯНИЕ
ПОТЕНЦИАЛЬНАЯ ЭНЕРГИЯ ВОЗМУЩЕНИЯ
ПРЕОБРАЗОВАНИЕ КИНЕТИЧЕСКОГО СЛАГАЕМОГО
УСЛОВИЕ УСТОЙЧИВОСТИ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ


Дата добавления на сайт: 20 июля 2025
Содержание

Введение

Невозмущенное состояние
Потенциальная энергия возмущения
Преобразование кинетического слагаемого
Условие устойчивости
Заключение
Список литературы
Аннотация

Получены уравнения для поперечных компонент смещения плазмы, минимизирующег
о функционал Крускала - Обермана потенциальной энергии МГД-возмущения. Условие устойчивости состоит в отсутствии отрицательных собственных значений у этой системы уравнений (одно из них интегро-дифференциальное по продольной координате, другое интегральное) для любой магнитной поверхности в плазме.
Введение

Настоящая работа касается устойчивости плазмы в магнитных ловушках, в которых характерный размер изменения удерживающего магнитного поля сравним с "поперечным" размером плазмы. Интерес к таким ловушкам связан с тем, что в них возможна МГД-устойчивость в отсутствие магнитной ямы. К этому классу относится, в частности, ряд осесимметричных конфигураций, образованных полоидальным магнитным полем, как с замкнутыми силовыми линиями (конфигурации с обращенным полем (FRC), см. [1]; ловушки типа [2, 3] с внутренними проводниками, их разнообразные версии описаны в [4,5]), так и открытых (полукасп [6]; ловушка с дивертором [7, 8]; непараксиальный пробкотрон, устойчивый против "первой" моды [9]). В МГД-модели с изотропным давлением, в которой стабилизация сильно неоднородным полем проявляется как влияние сжимаемости плазмы, условие конвективной (желобковой) устойчивости имеет вид [16,17]

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 1), (1)

где p (a) - невозмущенное давление плазмы, a - "метка" магнитной поверхности, U (a) = ∫B-1dl, интегрирование ведется по длине магнитной силовой линии в плазме, γ=5/3 - показатель адиабаты. В осесимметричных конфигурациях, рассматриваемых ниже, под магнитными поверхностями понимаются поверхности вращения, на которых лежат силовые линии и по которым происходит азимутальный дрейф частиц.
Согласно (1) устойчивы профили давления, не слишком быстро спадающие с U. Безразлично устойчивый профиль, при котором инкремент обращается в нуль, есть p* = p0 (U/U0) - γ, где p0 и U0 относятся к некоторой произвольно выбранной магнитной поверхности внутри плазмы. При выполнении (1) величина давления плазмы ограничена требованием устойчивости относительно баллонной моды.
В задаче отыскания границы МГД-устойчивости случаю бесстолкновительной плазмы адекватна кинетическая модель Крускала - Обермана [18, 19], которая не предполагает изотропизации давления в колебаниях. Устойчивые по Крускалу - Оберману профили p (a) могут, как показали расчеты, проделанные для различных конфигураций при β = 8πp/B2 →0 [20 - 23], существенно отличаться от получаемых в МГД-модели.
Расчеты профилей, устойчивых в модели Крускала - Обермана, при конечных β до сих пор отсутствуют. Трудность расчетов устойчивости при конечном β связана с тем, что, хотя общий критерий устойчивости хорошо известен - положительность функционала потенциальной энергии возмущения, - до сих пор не разработана регулярная процедура отыскания при β ≠ 0 того возмущения, на котором достигается минимум (именно им определяется устойчивость) этого функционала. В случае β → 0 подобной трудности не возникает, поскольку наиболее опасные возмущения имеют простой вид "желобков".
Заменой "кинетического" слагаемого в выражении Крускала - Обермана для потенциальной энергии колебаний на величину, ограничивающую его снизу, удается при β ≠ 0 находить достаточные условия устойчивости, см., например, [24,25]; для плазмы с изотропным невозмущенным давлением Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 2) при этом получается критерий (1).
В недавней работе [26] условия устойчивости в случае Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 3) сформулированы, не прибегая к такой замене.
В данной работе получено условие МГД-устойчивости по Крускалу - Оберману для плазмы с конечным β без предположения об изотропии невозмущенного давления (результат [26] охватывается как частный случай).
Невозмущенное состояние

Рассматриваются осесимметричные равновесные конфигурации полоидального магнитного поля

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 4), Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 5), (2)

ψ - потоковая функция, r - расстояние от оси. Поле Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 6), силовые линии которого лежат на поверхностях ψ = const (так что естественно взять ψ в качестве метки магнитной поверхности), и величины, характеризующие плазму, зависят от ψ и координаты, отсчитываемой вдоль Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 7). Считается, что на магнитной силовой линии имеется один минимум Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 8). Функция распределения частиц Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 9) (в задаче важны горячие, вносящие вклад в давление плазмы, популяции; для сокращения записи будем считать, что такая популяция только одна - электроны или один сорт ионов) зависит от интегралов движения: энергии ε = ν2 /2 (для удобства поделена на массу частицы), магнитного момента μ = Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 10)/ (2B) и метки магнитной поверхности, возле которой происходит движение, ψ. Магнитное поле и компоненты давления

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 11), (3),
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 12) (4)

(M - масса частицы, Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 13)) удовлетворяют уравнениям равновесия [27]

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 14), (5)
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 15), (6)

где Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 16) означает производную в направлении B, Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 17) - плотность азимутального тока во внешних катушках, Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 18). Плотность тока в плазме составляет, см. [28],

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 19). (7)

Описание отклонений от равновесия удобно проводить в связанных с равновесным полем Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 20) ортогональных координатах ψ,θ,χ в которых

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 21) Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 22), Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 23), Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 24).

Здесь χ - координата вдоль Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 25), направление отсчета азимутального угла θ выбирается так, чтобы единичные векторы Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 26) составляли правую тройку, r = r (ψ,χ) - расстояние до оси от точки на силовой линии ψ = const; якобиан J (ψ,χ) удовлетворяет вне проводников уравнению

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 27), (8)

где Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 28). Это уравнение получается взятием циркуляции Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 29) по контуру, ограничивающему площадку dψdχ в плоскости θ = const, с учетом (7). Выбор χ не однозначен (преимущество того или иного выбора здесь не обсуждается), и от него зависит граничное условие для J, поскольку решение (8) содержит произвольный множитель φ (χ).
В дальнейшем равновесное состояние считается заданным, то есть функции r (ψ,χ), B (ψ,χ), J (ψ,χ), Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 30) (ψ, B (ψ,χ)) известными.

Потенциальная энергия возмущения


Исходим из выражения для потенциальной энергии МГД-возмущения [29]

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 31), (9) где
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 32), (10)
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 33)Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 34),
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 35), Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 36), Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 37) -

смещение элемента плазмы поперек Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 38), Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 39), Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 40); σ и τ считаются положительными (тем самым исключаются источники неустойчивостей, в случае ∂Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 41)/∂ψ = 0 именуемых, соответственно, шланговой и зеркальной); кинетическое слагаемое

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 42)=Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 43), (11)

интегрирование по длине Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 44) вдоль силовой линии в (11) ведется между точками поворота частицы, а для пролетных частиц в случае замкнутой силовой линии - по всей ее длине. Присутствующая в (10), (11) величина q выражается через коэффициенты Ламе [30]

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 45) (12)

и связана с кривизной силовой линии Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 46): именно, Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 47).
Функционал W для азимутальной моды m
Записав компоненты смещения в виде [17]
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 48), Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 49), (13)
m ≥ 1 (выбор начала отсчета θ и фазы θ0 роли не играет), и перейдя в (11) от переменных Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 50) к переменным Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 51), Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 52)после интегрирования по θ будем иметь

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 53), Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 54), (14) где
плазма магнитная ловушка устойчивость
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 55)
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 56), (15)
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 57), (16)введены обозначения
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 58), (17)
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 59), (18)
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 60), (19)

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 61) - значение поля в минимуме на силовой линии ψ = const. Нижний предел интегрирования по λ в (16) в случае открытой ловушки равен Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 62), где Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 63) - поле в пробке, а в случае замкнутых силовых линий, когда есть пролетные частицы, предел Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 64). В дальнейшем будем полагать Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 65), имея в виду, что в случае открытой ловушки величина Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 66) (17) равна в интервале Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 67) (в конусе потерь) нулю. Для изотропной функции распределения Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 68) эта величина не зависит от Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 69) и равна давлению Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 70), выражение (15) сводится к формуле (6.16) (c Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 71)) статьи [17], а (16) переходит в выражение (27.3) работы [19]. Стабилизирующее действие неоднородности поля существенно, если кинетический член (16) сравним по величине с "гидродинамическим" слагаемым (15).

Преобразование кинетического слагаемого


Преобразуем кинетический член к другой форме. Заметим, что величина Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 72) стоит в Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 73) (16) только в сумме с Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 74). Используем обозначение

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 75). (20)

Перепишем (16) как

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 76) (21)

и изменим в (21) порядок интегрирования по Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 77) и Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 78). Область интегрирования показана на рис.1.

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 79)
Рис.1. Область интегрирования в плоскости Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 80) в интеграле (21).

Получим

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 81), (22)

где [Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 82)] - интервал изменения χ в ловушке. Далее вернемся к записи величины Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 83), фигурирующей в (22), в виде (18) и поменяем порядок интегрирования по λ и координате χ (см. рис.2).

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 84)
Рис.2. Область интегрирования в плоскости Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 85) в интеграле (22).

Придем к выражению

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 86)
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 87), (23)

в котором ядра суть

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 88)
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 89), (24)
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 90) (25)
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 91) (26)
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 92), (27)
где
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 93), (30)

а величина Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 94) равна

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 95) (31)
то есть
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 96). (31а)

Анизотропия распределения частиц проявляется в представлении кинетического члена в форме (23) тем, что вносит зависимость множителя P в (30) от λ; в случае изотропного распределении будет, как уже говорилось, просто Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 97), этот случай рассматривался в [26].
Поскольку Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 98) и Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 99) входят в Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 100) (31а) равноправно, после переименования переменных в слагаемом с Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 101) в (23) окончательно имеем

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 102) (32)

Условие устойчивости


Для устойчивости достаточно, чтобы при любом ψ величина Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 103) в (14) была для возмущений Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 104) неотрицательна. Примем нормировку

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 105), (33)

где Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 106) - положительная функция. Поскольку мы интересуемся только знаком Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 107) на каждой магнитной поверхности, конкретный вид C (ψ) (характер локализации возмущения по ψ) для дальнейшего не существен, важна лишь положительность этой величины. Условие устойчивости будет соблюдено, если для каждого ψ при нормировке (33) не отрицателен минимум функционала Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 108) относительно варьирования зависимостей Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 109) и Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 110) от χ, или, что эквивалентно, не отрицателен минимум функционала

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 111). (34)

В выражении для Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 112) азимутальное число m содержится в Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 113) (15). Слагаемое с m положительно и стремится к нулю при m → ∞. Имея в виду получить наиболее жесткое среди возможных m условие устойчивости, положим (как в [17]) m >>1 и данное слагаемое опустим. При этом компонента Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 114) будет входить в Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 115), как и в Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 116), только в комбинации Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 117).
Функционал Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 118) при m → ∞ назовемУстойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 119).
Обозначим интересующий нас Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 120) через Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 121). Этот минимум достигается на компонентах смещения (13), удовлетворяющих уравнениям Эйлера. При варьировании Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 122) в (34) принимаем во внимание в случае замкнутых силовых линий ("длиной" Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 123)) требование

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 124), (35)

а в случае открытой ловушки поставим на торцах Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 125) граничные условия

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 126) (36)

(эти условия допускают существование желобковых и баллонных мод). В обоих случаях приходим к уравнению Эйлера

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 127)
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 128). (37)

Варьирование Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 129) дает второе уравнение Эйлера

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 130). (38)

В случае изотропного невозмущенного распределения уравнения (37), (38) переходят в уравнения, полученные в [26].
Если система интегро-дифференциальных уравнений (37), (38) с дополнительным условием (35) (или граничными условиями (36)) не имеет ни при каком ψ собственных значений Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 131), плазма устойчива.
При β → 0 в первом приближении по β из (38) получается Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 132), т.е. Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 133), а из (37) будем иметь X = const. (Критерий устойчивости [31], см. также книгу [32], получится в следующем приближении по β). Это с учетом (13) означает, что поперечное смещение Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 134) (дрейф в скрещенных равновесном магнитном поле и электрическом поле возмущения) происходит в результате действия потенциального поля Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 135), имеющего желобковый вид: Φ не зависит от χ.
Заметим, что при замене кинетического слагаемого в Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 136) на выражение Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 137), ограничивающее Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 138) снизу, которое не содержит интегрирования по λ и включает только интегралы по χ (например, для Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 139) имеем, согласно теореме сравнения [18, 19], Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 140))), интегральное и интегро-дифференциальное уравнения Эйлера, заменяющие (37), (38), будут уравнениями с вырожденными ядрами. Это упрощает их решение и отыскание достаточного условия устойчивости (при Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 141) сводящегося для желобковой моды к (1), см. [24, 26]).
Заключение

Для кинетического слагаемого в функционале Крускала-Обермана потенциальной энергии МГД-возмущения Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 142) получено выражение в форме двойного интеграла по продольной координате (32). Минимизация Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 143) по двум компонентам смещения при нормировке (33) приводит к системе уравнений Эйлера, состоящей из одного интегро-дифференциального и одного интегрального уравнений (37), (38). Вид ядер в интегральных слагаемых определяется функцией распределения частиц по питч-углу, формулы (24) - (31). Условием МГД-устойчивости служит отсутствие отрицательных собственных значений у этой системы.
Список литературы

1. Tuszewskii M. // Nucl. Fusion. 1988. V.28. P. 2033.
. Кадомцев Б.Б. // Физика плазмы и проблема управляемых термоядерных реакций /Под ред. М.А. Леонтовича. М.: Изд. АН СССР, 1958.Т. IV. С.353.
3. Ohkawa T., Kerst D. W. // Phys. Rev. Lett. 1961. V.7. P.41.
. Фюрт Г. // Физика высокотемпературной плазмы /Под ред. М.С. Рабиновича. М.: Мир, 1972. С.172.
. Морозов А.И., Савельев В.В. // Успехи физ. наук. 1998. Т.168. С.1153.
. Димов Г.И. // Успехи физ. наук. 2005. Т.175. С.1185.
. Lane B., Post R. S., Kesner J. // Nucl. Fusion. 1987. V.27. P.227.
. Пастухов В.П., Соколов А.Ю. // Физика плазмы. 1991. Т.17. С.1043.
. Рютов Д.Д., Ступаков Г.В. // Письма в ЖЭТФ. 1985. Т.42. С.29.
. Casey J. A., Lane B. G., Irby J. H. et al. // Phys. Fluids. 1988. V.31. P. 2009.
. Yasaka Y., Takano N., Takeno H. // Transactions of Fusion Technology. 2001. V.39. P.350.
. Kulygin V. M., Arsenin V. V., Zhiltsov V. A. et al. // Nucl. Fusion. 2007. V.47. P.738.
. Kesner J., Boxer A. C., Ellsworth J. L. et al. // 21st IAEA Fusion Energy Conf., Chengdu, China, 2006. IC/P7-7.
. Yosida Z., Ogawa Y., Morikawa J. et al. // Ibid. IC/P7-14.
. Берникова М.М., Вайтонене А.М., Вайтонис В.В. и др. // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Термоядерный синтез. 2003. Вып.1. С.22.
. Кадомцев Б.Б. // Физика плазмы и проблема управляемых термоядерных реакций /Под ред. М.А. Леонтовича. М.: Изд. АН СССР, 1958.Т. IV. С.380.
17. Bernstein A. B., Frieman E. A., Kruskal M. D., Kulsrud R. M. // Proc. Roy. Soc. London. 1958. V. A244. P.17.
. Kruskal M. D., Oberman C. L. // Phys. Fluids. 1958. V.1. P.275.
. Rosenbluth M. N., Rostoker N. // Phys. Fluids. 1959. V.2. P.23.
. Adler E. A. // Phys. Fluids. 1982. V.25. P. 2053.
. Михайловская Л.В. // Физика плазмы. 1988. Т.14. С.1241.
. Соколов А.Ю. // Физика плазмы. 1992. Т.18. С.657.
. Арсенин В.В., Куянов А.Ю. // Физика плазмы. 2001. Т.27. С.675.
. Walstead A. E. // Phys. Fluids. 1982. V.25. P.1358.
. Simakov A. N., Hastie R. J., Catto P. J. // Phys. Plasmas. 2000. V.7. P.3309.
. Арсенин В.В. // Физика плазмы. 2008. Т.34. №5.
. Grad H. // Phys. Fluids. 1967. V.10. P.137.
. Шафранов В.Д. // Вопросы теории плазмы /Под ред. М.А. Леонтовича. Вып.2. М.: Госатомиздат, 1963. С.92
. Taylor J. B., Hastie R. J. // Phys. Fluids. 1965. V.8. P.323.
30. Кочин Н.Е. Векторное исчисление и начала тензорного исчисления. М.: Издательство АН СССР, 1951.
. Кадомцев Б.Б. // Физика плазмы и проблема управляемых термоядерных реакций /Под ред. М.А. Леонтовича. М.: Изд. АН СССР, 1958.Т. IV. С.370.
. Михайловский А.Б. Теория плазменных неустойчивостей. Т.2. Неустойчивости неоднородной плазмы. М.: Атомиздат, 1971.

Комментарии:

Вы не можете оставлять комментарии. Пожалуйста, зарегистрируйтесь.