Реферат: Устойчивость плазмы в магнитных ловушках

Бесплатно
Скачать данную работу
Бесплатное скачивание материала

Текст работы

Содержание

Введение

Невозмущенное состояние
Потенциальная энергия возмущения
Преобразование кинетического слагаемого
Условие устойчивости
Заключение
Список литературы
Аннотация

Получены уравнения для поперечных компонент смещения плазмы, минимизирующег
о функционал Крускала - Обермана потенциальной энергии МГД-возмущения. Условие устойчивости состоит в отсутствии отрицательных собственных значений у этой системы уравнений (одно из них интегро-дифференциальное по продольной координате, другое интегральное) для любой магнитной поверхности в плазме.
Введение

Настоящая работа касается устойчивости плазмы в магнитных ловушках, в которых характерный размер изменения удерживающего магнитного поля сравним с "поперечным" размером плазмы. Интерес к таким ловушкам связан с тем, что в них возможна МГД-устойчивость в отсутствие магнитной ямы. К этому классу относится, в частности, ряд осесимметричных конфигураций, образованных полоидальным магнитным полем, как с замкнутыми силовыми линиями (конфигурации с обращенным полем (FRC), см. [1]; ловушки типа [2, 3] с внутренними проводниками, их разнообразные версии описаны в [4,5]), так и открытых (полукасп [6]; ловушка с дивертором [7, 8]; непараксиальный пробкотрон, устойчивый против "первой" моды [9]). В МГД-модели с изотропным давлением, в которой стабилизация сильно неоднородным полем проявляется как влияние сжимаемости плазмы, условие конвективной (желобковой) устойчивости имеет вид [16,17]

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 1), (1)

где p (a) - невозмущенное давление плазмы, a - "метка" магнитной поверхности, U (a) = ∫B-1dl, интегрирование ведется по длине магнитной силовой линии в плазме, γ=5/3 - показатель адиабаты. В осесимметричных конфигурациях, рассматриваемых ниже, под магнитными поверхностями понимаются поверхности вращения, на которых лежат силовые линии и по которым происходит азимутальный дрейф частиц.
Согласно (1) устойчивы профили давления, не слишком быстро спадающие с U. Безразлично устойчивый профиль, при котором инкремент обращается в нуль, есть p* = p0 (U/U0) - γ, где p0 и U0 относятся к некоторой произвольно выбранной магнитной поверхности внутри плазмы. При выполнении (1) величина давления плазмы ограничена требованием устойчивости относительно баллонной моды.
В задаче отыскания границы МГД-устойчивости случаю бесстолкновительной плазмы адекватна кинетическая модель Крускала - Обермана [18, 19], которая не предполагает изотропизации давления в колебаниях. Устойчивые по Крускалу - Оберману профили p (a) могут, как показали расчеты, проделанные для различных конфигураций при β = 8πp/B2 →0 [20 - 23], существенно отличаться от получаемых в МГД-модели.
Расчеты профилей, устойчивых в модели Крускала - Обермана, при конечных β до сих пор отсутствуют. Трудность расчетов устойчивости при конечном β связана с тем, что, хотя общий критерий устойчивости хорошо известен - положительность функционала потенциальной энергии возмущения, - до сих пор не разработана регулярная процедура отыскания при β ≠ 0 того возмущения, на котором достигается минимум (именно им определяется устойчивость) этого функционала. В случае β → 0 подобной трудности не возникает, поскольку наиболее опасные возмущения имеют простой вид "желобков".
Заменой "кинетического" слагаемого в выражении Крускала - Обермана для потенциальной энергии колебаний на величину, ограничивающую его снизу, удается при β ≠ 0 находить достаточные условия устойчивости, см., например, [24,25]; для плазмы с изотропным невозмущенным давлением Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 2) при этом получается критерий (1).
В недавней работе [26] условия устойчивости в случае Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 3) сформулированы, не прибегая к такой замене.
В данной работе получено условие МГД-устойчивости по Крускалу - Оберману для плазмы с конечным β без предположения об изотропии невозмущенного давления (результат [26] охватывается как частный случай).
Невозмущенное состояние

Рассматриваются осесимметричные равновесные конфигурации полоидального магнитного поля

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 4), Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 5), (2)

ψ - потоковая функция, r - расстояние от оси. Поле Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 6), силовые линии которого лежат на поверхностях ψ = const (так что естественно взять ψ в качестве метки магнитной поверхности), и величины, характеризующие плазму, зависят от ψ и координаты, отсчитываемой вдоль Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 7). Считается, что на магнитной силовой линии имеется один минимум Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 8). Функция распределения частиц Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 9) (в задаче важны горячие, вносящие вклад в давление плазмы, популяции; для сокращения записи будем считать, что такая популяция только одна - электроны или один сорт ионов) зависит от интегралов движения: энергии ε = ν2 /2 (для удобства поделена на массу частицы), магнитного момента μ = Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 10)/ (2B) и метки магнитной поверхности, возле которой происходит движение, ψ. Магнитное поле и компоненты давления

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 11), (3),
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 12) (4)

(M - масса частицы, Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 13)) удовлетворяют уравнениям равновесия [27]

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 14), (5)
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 15), (6)

где Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 16) означает производную в направлении B, Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 17) - плотность азимутального тока во внешних катушках, Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 18). Плотность тока в плазме составляет, см. [28],

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 19). (7)

Описание отклонений от равновесия удобно проводить в связанных с равновесным полем Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 20) ортогональных координатах ψ,θ,χ в которых

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 21) Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 22), Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 23), Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 24).

Здесь χ - координата вдоль Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 25), направление отсчета азимутального угла θ выбирается так, чтобы единичные векторы Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 26) составляли правую тройку, r = r (ψ,χ) - расстояние до оси от точки на силовой линии ψ = const; якобиан J (ψ,χ) удовлетворяет вне проводников уравнению

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 27), (8)

где Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 28). Это уравнение получается взятием циркуляции Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 29) по контуру, ограничивающему площадку dψdχ в плоскости θ = const, с учетом (7). Выбор χ не однозначен (преимущество того или иного выбора здесь не обсуждается), и от него зависит граничное условие для J, поскольку решение (8) содержит произвольный множитель φ (χ).
В дальнейшем равновесное состояние считается заданным, то есть функции r (ψ,χ), B (ψ,χ), J (ψ,χ), Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 30) (ψ, B (ψ,χ)) известными.

Потенциальная энергия возмущения


Исходим из выражения для потенциальной энергии МГД-возмущения [29]

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 31), (9) где
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 32), (10)
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 33)Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 34),
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 35), Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 36), Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 37) -

смещение элемента плазмы поперек Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 38), Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 39), Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 40); σ и τ считаются положительными (тем самым исключаются источники неустойчивостей, в случае ∂Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 41)/∂ψ = 0 именуемых, соответственно, шланговой и зеркальной); кинетическое слагаемое

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 42)=Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 43), (11)

интегрирование по длине Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 44) вдоль силовой линии в (11) ведется между точками поворота частицы, а для пролетных частиц в случае замкнутой силовой линии - по всей ее длине. Присутствующая в (10), (11) величина q выражается через коэффициенты Ламе [30]

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 45) (12)

и связана с кривизной силовой линии Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 46): именно, Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 47).
Функционал W для азимутальной моды m
Записав компоненты смещения в виде [17]
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 48), Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 49), (13)
m ≥ 1 (выбор начала отсчета θ и фазы θ0 роли не играет), и перейдя в (11) от переменных Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 50) к переменным Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 51), Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 52)после интегрирования по θ будем иметь

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 53), Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 54), (14) где
плазма магнитная ловушка устойчивость
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 55)
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 56), (15)
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 57), (16)введены обозначения
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 58), (17)
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 59), (18)
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 60), (19)

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 61) - значение поля в минимуме на силовой линии ψ = const. Нижний предел интегрирования по λ в (16) в случае открытой ловушки равен Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 62), где Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 63) - поле в пробке, а в случае замкнутых силовых линий, когда есть пролетные частицы, предел Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 64). В дальнейшем будем полагать Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 65), имея в виду, что в случае открытой ловушки величина Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 66) (17) равна в интервале Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 67) (в конусе потерь) нулю. Для изотропной функции распределения Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 68) эта величина не зависит от Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 69) и равна давлению Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 70), выражение (15) сводится к формуле (6.16) (c Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 71)) статьи [17], а (16) переходит в выражение (27.3) работы [19]. Стабилизирующее действие неоднородности поля существенно, если кинетический член (16) сравним по величине с "гидродинамическим" слагаемым (15).

Преобразование кинетического слагаемого


Преобразуем кинетический член к другой форме. Заметим, что величина Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 72) стоит в Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 73) (16) только в сумме с Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 74). Используем обозначение

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 75). (20)

Перепишем (16) как

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 76) (21)

и изменим в (21) порядок интегрирования по Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 77) и Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 78). Область интегрирования показана на рис.1.

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 79)
Рис.1. Область интегрирования в плоскости Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 80) в интеграле (21).

Получим

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 81), (22)

где [Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 82)] - интервал изменения χ в ловушке. Далее вернемся к записи величины Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 83), фигурирующей в (22), в виде (18) и поменяем порядок интегрирования по λ и координате χ (см. рис.2).

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 84)
Рис.2. Область интегрирования в плоскости Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 85) в интеграле (22).

Придем к выражению

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 86)
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 87), (23)

в котором ядра суть

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 88)
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 89), (24)
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 90) (25)
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 91) (26)
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 92), (27)
где
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 93), (30)

а величина Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 94) равна

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 95) (31)
то есть
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 96). (31а)

Анизотропия распределения частиц проявляется в представлении кинетического члена в форме (23) тем, что вносит зависимость множителя P в (30) от λ; в случае изотропного распределении будет, как уже говорилось, просто Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 97), этот случай рассматривался в [26].
Поскольку Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 98) и Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 99) входят в Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 100) (31а) равноправно, после переименования переменных в слагаемом с Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 101) в (23) окончательно имеем

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 102) (32)

Условие устойчивости


Для устойчивости достаточно, чтобы при любом ψ величина Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 103) в (14) была для возмущений Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 104) неотрицательна. Примем нормировку

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 105), (33)

где Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 106) - положительная функция. Поскольку мы интересуемся только знаком Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 107) на каждой магнитной поверхности, конкретный вид C (ψ) (характер локализации возмущения по ψ) для дальнейшего не существен, важна лишь положительность этой величины. Условие устойчивости будет соблюдено, если для каждого ψ при нормировке (33) не отрицателен минимум функционала Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 108) относительно варьирования зависимостей Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 109) и Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 110) от χ, или, что эквивалентно, не отрицателен минимум функционала

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 111). (34)

В выражении для Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 112) азимутальное число m содержится в Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 113) (15). Слагаемое с m положительно и стремится к нулю при m → ∞. Имея в виду получить наиболее жесткое среди возможных m условие устойчивости, положим (как в [17]) m >>1 и данное слагаемое опустим. При этом компонента Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 114) будет входить в Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 115), как и в Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 116), только в комбинации Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 117).
Функционал Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 118) при m → ∞ назовемУстойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 119).
Обозначим интересующий нас Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 120) через Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 121). Этот минимум достигается на компонентах смещения (13), удовлетворяющих уравнениям Эйлера. При варьировании Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 122) в (34) принимаем во внимание в случае замкнутых силовых линий ("длиной" Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 123)) требование

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 124), (35)

а в случае открытой ловушки поставим на торцах Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 125) граничные условия

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 126) (36)

(эти условия допускают существование желобковых и баллонных мод). В обоих случаях приходим к уравнению Эйлера

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 127)
Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 128). (37)

Варьирование Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 129) дает второе уравнение Эйлера

Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 130). (38)

В случае изотропного невозмущенного распределения уравнения (37), (38) переходят в уравнения, полученные в [26].
Если система интегро-дифференциальных уравнений (37), (38) с дополнительным условием (35) (или граничными условиями (36)) не имеет ни при каком ψ собственных значений Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 131), плазма устойчива.
При β → 0 в первом приближении по β из (38) получается Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 132), т.е. Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 133), а из (37) будем иметь X = const. (Критерий устойчивости [31], см. также книгу [32], получится в следующем приближении по β). Это с учетом (13) означает, что поперечное смещение Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 134) (дрейф в скрещенных равновесном магнитном поле и электрическом поле возмущения) происходит в результате действия потенциального поля Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 135), имеющего желобковый вид: Φ не зависит от χ.
Заметим, что при замене кинетического слагаемого в Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 136) на выражение Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 137), ограничивающее Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 138) снизу, которое не содержит интегрирования по λ и включает только интегралы по χ (например, для Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 139) имеем, согласно теореме сравнения [18, 19], Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 140))), интегральное и интегро-дифференциальное уравнения Эйлера, заменяющие (37), (38), будут уравнениями с вырожденными ядрами. Это упрощает их решение и отыскание достаточного условия устойчивости (при Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 141) сводящегося для желобковой моды к (1), см. [24, 26]).
Заключение

Для кинетического слагаемого в функционале Крускала-Обермана потенциальной энергии МГД-возмущения Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 142) получено выражение в форме двойного интеграла по продольной координате (32). Минимизация Устойчивость плазмы в магнитных ловушках (рис. 143) по двум компонентам смещения при нормировке (33) приводит к системе уравнений Эйлера, состоящей из одного интегро-дифференциального и одного интегрального уравнений (37), (38). Вид ядер в интегральных слагаемых определяется функцией распределения частиц по питч-углу, формулы (24) - (31). Условием МГД-устойчивости служит отсутствие отрицательных собственных значений у этой системы.
Список литературы

1. Tuszewskii M. // Nucl. Fusion. 1988. V.28. P. 2033.
. Кадомцев Б.Б. // Физика плазмы и проблема управляемых термоядерных реакций /Под ред. М.А. Леонтовича. М.: Изд. АН СССР, 1958.Т. IV. С.353.
3. Ohkawa T., Kerst D. W. // Phys. Rev. Lett. 1961. V.7. P.41.
. Фюрт Г. // Физика высокотемпературной плазмы /Под ред. М.С. Рабиновича. М.: Мир, 1972. С.172.
. Морозов А.И., Савельев В.В. // Успехи физ. наук. 1998. Т.168. С.1153.
. Димов Г.И. // Успехи физ. наук. 2005. Т.175. С.1185.
. Lane B., Post R. S., Kesner J. // Nucl. Fusion. 1987. V.27. P.227.
. Пастухов В.П., Соколов А.Ю. // Физика плазмы. 1991. Т.17. С.1043.
. Рютов Д.Д., Ступаков Г.В. // Письма в ЖЭТФ. 1985. Т.42. С.29.
. Casey J. A., Lane B. G., Irby J. H. et al. // Phys. Fluids. 1988. V.31. P. 2009.
. Yasaka Y., Takano N., Takeno H. // Transactions of Fusion Technology. 2001. V.39. P.350.
. Kulygin V. M., Arsenin V. V., Zhiltsov V. A. et al. // Nucl. Fusion. 2007. V.47. P.738.
. Kesner J., Boxer A. C., Ellsworth J. L. et al. // 21st IAEA Fusion Energy Conf., Chengdu, China, 2006. IC/P7-7.
. Yosida Z., Ogawa Y., Morikawa J. et al. // Ibid. IC/P7-14.
. Берникова М.М., Вайтонене А.М., Вайтонис В.В. и др. // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Термоядерный синтез. 2003. Вып.1. С.22.
. Кадомцев Б.Б. // Физика плазмы и проблема управляемых термоядерных реакций /Под ред. М.А. Леонтовича. М.: Изд. АН СССР, 1958.Т. IV. С.380.
17. Bernstein A. B., Frieman E. A., Kruskal M. D., Kulsrud R. M. // Proc. Roy. Soc. London. 1958. V. A244. P.17.
. Kruskal M. D., Oberman C. L. // Phys. Fluids. 1958. V.1. P.275.
. Rosenbluth M. N., Rostoker N. // Phys. Fluids. 1959. V.2. P.23.
. Adler E. A. // Phys. Fluids. 1982. V.25. P. 2053.
. Михайловская Л.В. // Физика плазмы. 1988. Т.14. С.1241.
. Соколов А.Ю. // Физика плазмы. 1992. Т.18. С.657.
. Арсенин В.В., Куянов А.Ю. // Физика плазмы. 2001. Т.27. С.675.
. Walstead A. E. // Phys. Fluids. 1982. V.25. P.1358.
. Simakov A. N., Hastie R. J., Catto P. J. // Phys. Plasmas. 2000. V.7. P.3309.
. Арсенин В.В. // Физика плазмы. 2008. Т.34. №5.
. Grad H. // Phys. Fluids. 1967. V.10. P.137.
. Шафранов В.Д. // Вопросы теории плазмы /Под ред. М.А. Леонтовича. Вып.2. М.: Госатомиздат, 1963. С.92
. Taylor J. B., Hastie R. J. // Phys. Fluids. 1965. V.8. P.323.
30. Кочин Н.Е. Векторное исчисление и начала тензорного исчисления. М.: Издательство АН СССР, 1951.
. Кадомцев Б.Б. // Физика плазмы и проблема управляемых термоядерных реакций /Под ред. М.А. Леонтовича. М.: Изд. АН СССР, 1958.Т. IV. С.370.
. Михайловский А.Б. Теория плазменных неустойчивостей. Т.2. Неустойчивости неоднородной плазмы. М.: Атомиздат, 1971.
🔍
Похожие материалы не найдены

Комментарии

💬
Пока нет комментариев. Будьте первым!

Вы не можете оставлять комментарии. Пожалуйста, зарегистрируйтесь.